Základní rozdělení
Tranzistory se rozdělují na Bipolární a Unipolární
Bipolární-děrová i elektronová vodivost (jedna je vždy v menšině-minoritní,druhá ve většině-majoritní)
Podle vodivosti báze:
-PNP
-NPN
Unipolární-pouze děrová nebo elektronová vodivost
Podle typu vodivého kanálu:
-s vodivm kanálem typu P
-s vodiým kanálem typu N
Podle technologie:
J-FET – Gate má oddělen potenciálovou bariéro
JUG-FET – bariéra se vytváří PN přechodem
MES-FET – bariéra se vytváří přechodem kov-po
IG-FET – Gate má oddělen mechanicky
MIS-FET – má kovový Gate izolovaný od polovodiče
MOS-FET – má kovový Gate od polovodiče izolovaný oxidem