Základní rozdělení

Tranzistory se rozdělují na Bipolární a Unipolární

Bipolární-děrová i elektronová vodivost (jedna je vždy v menšině-minoritní,druhá ve většině-majoritní)

Podle vodivosti báze:

-PNP

-NPN

Unipolární-pouze děrová nebo elektronová vodivost 

Podle typu vodivého kanálu:

-s vodivm kanálem typu P

-s vodiým kanálem typu N

Podle technologie:

              J-FET – Gate má oddělen potenciálovou bariéro

              JUG-FET – bariéra se vytváří PN přechodem

 MES-FET – bariéra se vytváří přechodem kov-po

  IG-FET – Gate má oddělen mechanicky

  MIS-FET – má kovový Gate izolovaný od polovodiče

  MOS-FET – má kovový Gate od polovodiče izolovaný oxidem