unipolární tranzistor typu FET (field effect trasistor).  Značení elektrod je z důvodu jiného principu funkce odlišné od bipolárního tranzistoru. Unipolární tranzistor má tři elektrody značené jako Drain, Gate, Source.  Drain a source elektrody jsou hlavní, teče jimi proud, který chceme ovládat. Elektroda gate je řídicí , podobně jako báze u bipolárního tranzistoru.

Do dnešní doby vzniklo nespočet variant unipolárních tranzisotorů, jmenujme ty hlavní:

 

JFET (Junction-Field Effekt tranzistor)


 
 Schematická značka N a P JFET
 
U bipolárního tranzistoru se tranzistor "otevírá/zavírá" podle proudu tekoucího do báze. Je tedy řízený proudem (přesněji výkonem). Narozdíl od něj však do Gate u JFETu téměř žádný stejnosměrný proud neteče, protože je (v pracovní oblasti) PN přechod pod elektrodou Gate vždy polarizován v závěrném směru. JFET je bez přiloženého napětí mezi Gate a Source otevřený. Záporným napětím mezi Gate a Source lze zaškrtit kanál a tranzistor "uzavřít", zmenšit tedy vodivost kanálu mezi elektrodami Source a Drain
 

 

 Pouzdro TO92 , standardní pro JFET 

 

 

 

JFET tranzistory se používají zejména pro měřicí aplikace a vstupní obvody VF a NF zesilovačů signálu. Jejich proudová zatížitelnost je v řádech mA a napětí D –S maximálně několik desítek voltů. Vyrábějí se v obou vodivostních provedeních, tj. s kanálem N a P.

 

MOSFET(metal Oxide Semiconductor Field Effect Tranzistor

Existují dva druhy MOSFET tranzistorů tj. s indukovaným a pevným kanálem. Jelikož využití tranzistorů s pevným relativně malé, a běžný konstruktér nemá nutnost jej používat , popíšeme si princip funkce MOSFET s kanálem indukovaným. 

 



 Schematická značka N-MOS a P-MOS tranzistoru.

 

Tranzistor MOSFET s indukovaným kanálem je dnes nejpoužívanější variantou polem řízených tranzistorů. Konstrukcí a vlastnostmi je použitelný jak pro lineární tak pro spínané režimy funkce. Hlavním rozdílem oproti JFET tranzistorům je schopnost přenášet i velmi velké proudy ve spínacím režimu a ještě menší vstupní proud. Princip je podobný jako u JFET s tím rozdílem, že vlastní řídicí elektroda je od křemíkového substrátu izolovaná vrstvou oxidu. Aby se odstranila nevýhoda řízení pomocí záporného napětí (přivírání tranzistoru, škrcení)  je tranzistor konstrukčně opatřen tzv. indukovaným přechodem, který fyzicky existuje pouze když je tranzistor v provozu. Tímto opatřením se zjednodušilo řízení tak, že při nulovém napětí na GATE elektrodě je tranzistor uzavřený a se vzrůstajícím se postupně otevírá až do plného otevření (saturace).  Výhodou MOSFET je především to, že v sepnutém stavu mají minimální výkonovou ztrátu , čili není problém spínat proudy o velikosti několika desítek ampér tranzistorem o velikosti posledního článku malíčku a bez jakéhokoliv chlazení.Na trhu jsou MOSFET zastoupeny velkou škálou variant. Jejich rozsah použití je od mobilních telefonu (zdrojová část) až po výkonné řídicí systémy napájení .